F07100 - SEMI F71 - ガス供給システムの温度サイクル試験方法 Revision:SEMI F71-1102 - Inactive SEMI MF95 — Test Method

SEMI MF95 — Test Method for Thickness of Lightly Doped Silicon Epitaxial Layers on Heavily Doped Silicon Substrates Using an Infrared Dispersive Spectrophotometer

本文書は，半導体製造産業にて使用される，二酸化炭素(CO2)の要件をカバーするものである。

Alternative methods may be used as long as they comply with SEMI C1 guidelines for method validation

This Test Method covers the in-line

エピタキシャルシリコンウェーハは，多くの集積回路やディスクリート半導体デバイスに使用されている。共通のプロセス装置を複数のデバイス製造ラインで使用できるようにするためには，エピタキシャルウェーハの寸法を標準化することが不可欠である。

F07100 - SEMI F71 - ガス供給システムの温度サイクル試験方法 Revision:SEMI F71-1102 - Inactive SEMI MF95 — Test MethodNOTICE: This translation is a REFERENCE COPY ONLY. If differences should exist between the English version and a translation in any other language, the English version is the official and authoritative version. SEMI SEMI Global Facilities CommitteeJapan Facilities Committee2002719Japan Regional Standards Committee20029www. semi. org200211 NOTICE: This Standard or Safety Guideline has an Inactive Status because the conditions to maintain Current Status