P04400 - SEMI P44 - マスク装置向けオープン・アートワーク・システム・インターチェンジ・スタンダード（OASIS®）の仕様 Revision:SEMI P44-0709 - Superseded the incident radiation is p-polarized

the incident radiation is p-polarized and incident on the test specimen at the Brewster angle in order to minimize multiple reflections

SEMI E72 — Specification and Guide for Equipment Footprint

With the standardized measurement method and a guide for standardized reporting of results

509 defines has some ambiguity

サプライヤマーク付き裏面を持つ300 mm ウェーハの場合は時として，1回ないし数回のリクレイムサイクル後にマークを再刻印する必要がある。従って，本仕様書にはそのようなウェーハの再刻印を規定する付属書が含まれる。

P04400 - SEMI P44 - マスク装置向けオープン・アートワーク・システム・インターチェンジ・スタンダード（OASIS®）の仕様 Revision:SEMI P44-0709 - Superseded the incident radiation is p-polarizedglobal Micropatterning Committee2009513global Audits and Reviews Subcommittee20096www. semi. org20097CD ROM200511200811 OASISOASIS. MASK Referenced SEMI Standards SEMI P39 OASIS Open Artwork System InterchangeStandard